SunGame官网 JS156M4

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LWNM16BB-183-8.37W	¥2.50

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80.76 ~ 84.41 %

21.9 ~ 25.7 %

TOPCon

6.01 ~ 8.6 Wp

182x183.75 mm

130 µm

0.05±0.02 mm

0.05±0.1 mm

银

填充因子

79.31 - 80.67 %

电池片效率

20.2 - 21.4 %

技术

单晶硅

功率范围

4.94 - 5.23 Wp

地区

中国大陆

尺寸

156.75×156.75 mm

电池片厚度

180 ± 20 µm

栅线数

栅线宽度

1 mm

焊垫数

焊垫宽度

2 mm

焊垫材料

银，铝

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电池片转换效率 20.20–21.40%
尺寸 156.75 × 156.75 mm，±0.25 mm
硅片厚度 200 µm ±20 µm

产品特点

产品型号

202

203

204

205

206

208

209

210

211

212

213

214

类型

电池片

电池片技术

单晶硅

尺寸

156.75×156.75 mm

对角线

210±0.5 mm

电池片厚度

180 ± 20 µm

栅线数

栅线宽度

1 mm

栅线材料

银

减反射膜

氮化硅

焊垫数

焊垫宽度

2 mm

焊垫材料

银，铝

背面电场 (BSF)

铝

峰值功率 (Pmax)

4.94 W

4.96 W

4.98 W

5.01 W

5.03 W

5.08 W

5.11 W

5.13 W

5.16 W

5.18 W

5.2 W

5.23 W

峰值工作电压 (Vmpp)

0.549 V

0.55 V

0.551 V

0.553 V

0.554 V

0.558 V

0.56 V

0.561 V

0.563 V

0.564 V

0.565 V

0.567 V

峰值工作电流 (Impp)

9 A

9.02 A

9.04 A

9.06 A

9.08 A

9.11 A

9.13 A

9.14 A

9.17 A

9.18 A

9.2 A

9.22 A

开路电压 (Voc)

0.653 V

0.654 V

0.655 V

0.656 V

0.657 V

0.659 V

0.661 V

0.662 V

0.663 V

0.664 V

0.665 V

0.666 V

短路电流 (Isc)

9.54 A

9.55 A

9.57 A

9.59 A

9.61 A

9.63 A

9.65 A

9.66 A

9.68 A

9.7 A

9.71 A

9.73 A

电池片效率

20.2 %

20.3 %

20.4 %

20.5 %

20.6 %

20.8 %

20.9 %

21 %

21.1 %

21.2 %

21.3 %

21.4 %

填充因子 (FF)

79.31 %

79.43 %

79.46 %

79.64 %

79.67 %

80.1 %

80.15 %

80.18 %

80.44 %

80.39 %

80.5 %

80.67 %

温度系数（Pmax）

-0.4 %/˚C

温度系数（Voc）

-0.31 %/˚C

温度系数（Isc）

0.04 %/˚C

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